2N4391-E3

包装
散装
系列
-
FET 类型
N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
40V
漏源极电压 (Vdss)
-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)
50mA @ 20V
漏极电流 (Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
4V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
14pF @ 20V
电阻 - RDS（开）
30 欧姆
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
功率 - 最大值
1.8W
产品简介说明
MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
产品描述备注

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