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CSD16327Q3

  • 厂家：Texas Instruments
  • 封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
  • 批号：--
  • 数量：2,500 - 立即发货15,000 - 厂方库存
  • 价格：3.071
  • 类型：FET - 单
  • PDF：CSD16327Q3

CSD16327Q3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    NexFET??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    25V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    60A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    4 毫欧 @ 24A，8V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    8.4nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1300pF @ 12.5V

  • 功率 - 最大值

    3W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-TDFN 裸露焊盘

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

  • 产品描述备注

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