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EPC2012

  • 厂家：EPC
  • 封装：模具
  • 批号：--
  • 数量：5,000 - 立即发货
  • 价格：8.628
  • 类型：FET - 单
  • PDF：EPC2012

EPC2012

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    eGaN?

  • FET 类型

    GaNFET N 通道，氮化镓

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    3A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    100 毫欧 @ 3A，5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    1.5nC @ 100V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    128pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    模具

  • 产品简介说明

    TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

  • 产品描述备注

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