HYB25D512800CE-5
带卷 (TR) 可替代的包装
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RAM
DDR SDRAM
512M(64M x 8)
200MHz
并联
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C
66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP