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IPG15N06S3L-45

  • 厂家:Infineon Technologies
  • 封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
  • 批号:--
  • 数量:电询
  • 价格:询价
  • 类型:FET - 阵列
  • PDF:IPG15N06S3L-45

IPG15N06S3L-45

  • 包装

    带卷 (TR)

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 类型

    2 个 N 沟道(双)

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    55V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    15A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    45 毫欧 @ 10A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 10μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    20nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1420pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    21W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

  • 产品描述备注