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IPG20N06S3L-35

  • 厂家：Infineon Technologies
  • 封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：IPG20N06S3L-35

IPG20N06S3L-35

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 类型

    2 个 N 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    55V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    20A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    35 毫欧 @ 11A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.2V @ 15μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    23nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1730pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    30W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

  • 产品描述备注

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