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NSBA114YDXV6T1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：SOT-563
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
  • PDF：NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

  • 包装

    剪切带 （CT）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    2 个 PNP 预偏压式（双）

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    10k

  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)

    47k

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    80 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    250mV @ 300μA， 10mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    500nA

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-563，SOT-666

  • 产品简介说明

    TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • 产品描述备注

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