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PDTB123ES,126

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：TO-92-3
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
  • PDF：PDTB123ES,126

PDTB123ES,126

  • 包装

    带盒（TB）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP - 预偏压

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    2.2k

  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)

    2.2k

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    40 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    300mV @ 2.5mA，50mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    500nA

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

  • 产品简介说明

    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 产品描述备注

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