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SI1905BDH-T1-E3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：SC-70-6 （SOT-363）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 P 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    8V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    630mA

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    542 毫欧 @ 580mA，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    1.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    62pF @ 4V

  • 功率 - 最大值

    357mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 产品简介说明

    MOSFET 2P-CH 8V 630MA SC70-6

  • 产品描述备注

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