SI2323CDS-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
20V
6A (Tc)
39 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1V @ 250μA
25nC @ 4.5V
1090pF @ 10V
2.5W
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V SOT-23