SI3443CDV-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
20V
4.7A (Ta), 5.97A (Tc)
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.5V @ 250μA
12.4nC @ 5V
610pF @ 10V
3.2W
表面贴装
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP