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SI3529DV-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：6-TSOP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.5A，1.95A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    125 毫欧 @ 2.2A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    205pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

  • 产品描述备注

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