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SI4666DY-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：8-SOIC N
  • 批号：--
  • 数量：12,500 - 立即发货
  • 价格：2.233
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，2.5V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    25V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    11.5A （Ta）， 16.5A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    10 毫欧 @ 10A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    34nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1145pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    5W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

  • 产品描述备注

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