SI5406CDC-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
12V
6A (Tc)
20 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1V @ 250μA
32nC @ 8V
1100pF @ 6V
5.7W
表面贴装
8-SMD,扁平引线
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8