SI5432DC-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
20V
6A (Tc)
20 毫欧 @ 8.3A,4.5V
1.5V @ 250μA
33nC @ 10V
1200pF @ 10V
6.3W
表面贴装
8-SMD,扁平引线
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8