SI5471DC-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
20V
6A (Tc)
20 毫欧 @ 9.1A,4.5V
1.1V @ 250μA
96nC @ 10V
2945pF @ 10V
6.3W
表面贴装
8-SMD,扁平引线
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8