您好，欢迎您来到婷轩实业有限公司官方网站
服务热线：0755-89608519 / 13823657577 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> SI5513DC-T1-GE3
跳过导航链接。

SI5513DC-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：1206-8 ChipFET™
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    3.1A，2.1A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    75 毫欧 @ 3.1A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    6nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.1W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SMD，扁平引线

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服