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SI5913DC-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：1206-8 ChipFET™
  • 批号：--
  • 数量：626 - 立即发货
  • 价格：4.620
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SI5913DC-T1-GE3

SI5913DC-T1-GE3

  • 包装

    剪切带 （CT） 可替代的包装

  • 系列

    LITTLE FOOT?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    二极管（隔离式）

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    4A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    84 毫欧 @ 3.7A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    12nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    330pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    3.1W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SMD，扁平引线

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 1206-8

  • 产品描述备注

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