SI8409DB-T1-E1
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
30V
4.6A (Ta)
46 毫欧 @ 1A,4.5V
1.4V @ 250μA
26nC @ 4.5V
-
1.47W
表面贴装
4-XFBGA,CSPBGA
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP